IGBT 和 FET

了解更多安森美半导体（ON Semiconductor）公司关于IGBT 和 FET产品更多详尽的解说及应用，请移步至安森美官方网站。

 

IGBT – N沟道MOSFET – P沟道MOSFET

安森美半导体提供绝缘门双极晶体管(IGBT)，结型场效应晶体管(JFET)，N沟道、P沟道及互补型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及自保护MOSFET。

 

绝缘门双极晶体管(IGBT)

安森美半导体提供绝缘门双极晶体管(IGBT)，用于电子点火、闪光、电机驱动及其它大电流开关应用。

N沟道和P沟道结场效应管(JFET)

安森美半导体提供结场效应管(JFET)，用于射频(RF)、混频和斩波电路。

N沟道、P沟道和互补MOSFET

安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，用于电源转换和开关电路。

SMARTDISCRETES

安森美半导体提供自我保护MOSFET，可能包含限流、限温、ESD保护或电流镜。

 

安森美半导体对器件进行一系列可靠性应力测试，测试器件涵盖了ON Semiconductor所有的产品系列。采集可靠性数据是安森美半导体可靠性审计项目的一部分, 也是我们正常产品合格性试验和重新鉴定程序的一部分。此数据定期更新, 涵盖最新的测试结果。基本上每季度更新一次。当前数据可从ON Semiconductor网站找到。

您可使用安森美的在线FIT和平均故障间隔时间(MTBF)/平均无故障时间(MTTF) 计算器或下载视窗应用程序，帮助您从安森美产品型号中搜寻可靠性数据。您也可订购该应用程序的光盘。此外ON Semiconductor也提供pdf格式的可靠性数据概要。

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