技术资料
原厂标准完整型号: NVMFS5C646NLT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 20A(Ta),93A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 4.7 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 33.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2164pF @ 25V
功率 - 最大值: 3.7W
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商器件封装: *
专业从事代理分销安森美半导体NVMFS5C646NLT1G,常备NVMFS5C646NLT1G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商