NVMFD5877NLT1G|安森美半导体(ON)代理分销

制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：场效应管阵列

规格：MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

封装：8-DFN

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

（您可通过电话、邮件或QQ联系销售报价）

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技术资料

制造商零件编号：NVMFD5877NLT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：39 毫欧 @ 7.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：540pF @ 25V

功率 - 最大值：3.2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：8-DFN（5x6）

专业从事代理分销安森美半导体NVMFD5877NLT1G,常备NVMFD5877NLT1G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

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