技术资料
制造商零件编号：NVMFD5873NLT1G
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
系列：-
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1560pF @ 25V
功率 - 最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-DFN（5x6） Dual Flag（SO8FL-Dual-Asymmetrical）
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