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安森美半导体(ON Semiconductor) - NVMFD5873NLT1G
NVMFD5873NLT1G-安森美半导体(ON)代理分销(NVMFD5873NLT1G市场价格在1.26元到3.79元)
  • 制造商:安森美半导体 (ON Semiconductor)
  • 类目:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
  • 封装:8-DFN
  • (只做ON原装正品)
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
  • (您可通过电话、邮件或QQ联系销售报价)
  • 拥有大量NVMFD5873NLT1G现货并提供NVMFD5873NLT1G订货
    技术资料

    制造商零件编号:NVMFD5873NLT1G

    制造商:ON Semiconductor

    描述:MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL

    系列:-

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):60V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):13 毫欧 @ 15A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30.5nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1560pF @ 25V

    功率 - 最大值:3.1W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-PowerTDFN

    供应商器件封装:8-DFN(5x6) Dual Flag(SO8FL-Dual-Asymmetrical)

    专业从事代理分销安森美半导体NVMFD5873NLT1G,常备NVMFD5873NLT1G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

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