技术资料
制造商零件编号：NVMFD5853NLWFT1G
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
系列：-
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1100pF @ 25V
功率 - 最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-DFN（5x6） Dual Flag（SO8FL-Dual-Asymmetrical）
专业从事代理分销安森美半导体NVMFD5853NLWFT1G,常备NVMFD5853NLWFT1G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商