制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：场效应管阵列

规格：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

封装：8-SOIC

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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制造商零件编号：NVMD6N03R2G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：32 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：950pF @ 24V

功率 - 最大值：1.29W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

专业从事代理分销安森美半导体NVMD6N03R2G,常备NVMD6N03R2G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

NVMD3P03R2G

NVMD6N04R2G

NVMD6P02R2G

NVMD4N03R2G

MC74HC139ADTR2G

CAT6221-MGTD-GT3

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