技术资料
制造商零件编号:NTTS2P02R2G
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):550pF @ 16V
功率 - 最大值:780mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商器件封装:Micro8
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