技术资料
制造商零件编号:NTTFS5116PLTWG
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):52 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1258pF @ 30V
功率 - 最大值:3.2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)
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