技术资料
原厂标准完整型号: NTP8G202NG
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 9A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 350 毫欧 @ 5.5A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.6V @ 500μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 9.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 760pF @ 400V
功率 - 最大值: 65W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3
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