技术资料
制造商零件编号：NTMSD3P303R2G
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
系列：FETKY?/p>
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.34A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 3.05A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 24V
功率 - 最大值：730mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N
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