制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：单端场效应管

规格：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

封装：8-SOIC

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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制造商零件编号：NTMS4935NR2G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.1 毫欧 @ 7.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：52.1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3639pF @ 25V

功率 - 最大值：810mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

专业从事代理分销安森美半导体NTMS4935NR2G,常备NTMS4935NR2G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

NTMS4917NR2G

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MBR1060

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