技术资料
制造商零件编号:NTMFS5C646NLT1G
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 60V 32A SO-8FL
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):19A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2164pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN, 5 引线
供应商器件封装:5-DFN(5x6)
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