技术资料
原厂标准完整型号: NTMFS5C612NLT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 36A（Ta），235A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 91nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 6660pF @ 25V
功率 - 最大值: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
供应商器件封装: 5-DFN，8-SO 扁引线（5x6）
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