技术资料
原厂标准完整型号: NTMFS4H02NFT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 37A(Ta),193A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 1.4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 40.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2652pF @ 12V
功率 - 最大值: 3.13W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线
供应商器件封装: 5-DFN,8-SO 扁引线(5x6)
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