技术资料
原厂标准完整型号: NTMFD4C88NT3G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
系列: -
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 11.7A,14.2A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 5.4 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 22.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1252pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)
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