技术资料
原厂标准完整型号: NTMFD4C85NT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
系列: -
FET 类型: 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 15.4A，29.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1960pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.13W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN（5x6）
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