制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：场效应管阵列

规格：MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

封装：8-SOIC

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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制造商零件编号：NTMD6601NR2G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：80V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：215 毫欧 @ 2.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：400pF @ 25V

功率 - 最大值：600mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

专业从事代理分销安森美半导体NTMD6601NR2G,常备NTMD6601NR2G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

NTMD2P01R2G

NTMD6N02R2G

NTMD4184PFR2G

NTMD6P02R2G

NTMD2P01R2

MMSZ5241BT1

MMBT4401LT1

NTMFS4C53NT3G

LC823431TAK-2H

NTJD4105CT2G