技术资料
制造商零件编号：NTMD2P01R2G
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
系列：-
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：16V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 16V
功率 - 最大值：710mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N
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