技术资料
制造商零件编号：NTLJD4150PTBG
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
系列：-
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：135 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：300pF @ 15V
功率 - 最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-WDFN（2x2）
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