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安森美半导体(ON Semiconductor) - NTLJD3181PZTBG
NTLJD3181PZTBG-安森美半导体(ON)代理分销(NTLJD3181PZTBG市场价格在暂无元到需来电询问元)
  • 制造商:安森美半导体 (ON Semiconductor)
  • 类目:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
  • 封装:6-WDFN
  • (只做ON原装正品)
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
  • (您可通过电话、邮件或QQ联系销售报价)
  • 拥有大量NTLJD3181PZTBG现货并提供NTLJD3181PZTBG订货
    技术资料

    制造商零件编号:NTLJD3181PZTBG

    制造商:ON Semiconductor

    描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN

    系列:-

    FET 类型:2 个 P 沟道(双)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.2A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 2A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.8nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):450pF @ 10V

    功率 - 最大值:710mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘

    供应商器件封装:6-WDFN(2x2)

    专业从事代理分销安森美半导体NTLJD3181PZTBG,常备NTLJD3181PZTBG大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

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