制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：场效应管阵列

规格：MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

封装：6-WDFN

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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制造商零件编号：NTLJD3119CTBG

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

系列：?Cool?/p>

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A，2.3A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 3.8A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：271pF @ 10V

功率 - 最大值：710mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-WDFN（2x2）

专业从事代理分销安森美半导体NTLJD3119CTBG,常备NTLJD3119CTBG大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

NTLJS4149PTBG

NTLJD4116NT1G

NTLJF3118NTAG

NTLJD3119CTAG

NTLJD3182FZTBG

MJD42C1G

NSR05F30NRT5G

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NTTFS4943NTAG

NVMFS5C604NLT1G