技术资料
制造商零件编号:NTJD4105CT1G
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V,8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):630mA,775mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):375 毫欧 @ 630mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):46pF @ 20V
功率 - 最大值:270mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
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