NTHD2102PT1G|安森美半导体(ON)代理分销

制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：场效应管阵列

规格：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

封装：ChipFET

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

（您可通过电话、邮件或QQ联系销售报价）

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技术资料

制造商零件编号：NTHD2102PT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

系列：-

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：8V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：58 毫欧 @ 3.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 2.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：715pF @ 6.4V

功率 - 最大值：1.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：ChipFET

专业从事代理分销安森美半导体NTHD2102PT1G,常备NTHD2102PT1G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

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