技术资料
制造商零件编号:NTD4858NAT4G
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11.2A(Ta),73A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1563pF @ 12V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:D-Pak
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