技术资料
制造商零件编号:NTD4302G
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.4A(Ta),68A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2400pF @ 24V
功率 - 最大值:1.04W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK-3
专业从事代理分销安森美半导体NTD4302G,常备NTD4302G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商