技术资料
制造商零件编号：NTD23N03RT4G
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.8A（Ta），17.1A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：225pF @ 20V
功率 - 最大值：1.14W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak
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