NTB6412ANT4G|安森美半导体(ON)代理分销

制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：单端场效应管

规格：MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK

封装：D2PAK

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

（您可通过电话、邮件或QQ联系销售报价）

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技术资料

制造商零件编号：NTB6412ANT4G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：58A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18.2 毫欧 @ 58A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3500pF @ 25V

功率 - 最大值：167W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

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