技术资料
原厂标准完整型号: NSVMMUN2113LT3G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS PREBIAS PNP SOT23-3
系列: -
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 47k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 47k
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 300μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 246mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
专业从事代理分销安森美半导体NSVMMUN2113LT3G,常备NSVMMUN2113LT3G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商