技术资料
原厂标准完整型号: NSVEMD4DXV6T5G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
系列: -
晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 47k，10k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 47k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 300μA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563，SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
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