技术资料
制造商零件编号：NSVB123JPDXV6T1G
制造商：ON Semiconductor
描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：2.2k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：4.7k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 300?A，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SOT-563
专业从事代理分销安森美半导体NSVB123JPDXV6T1G,常备NSVB123JPDXV6T1G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商