技术资料
制造商零件编号:NGTB75N60FL2WG
制造商:ON Semiconductor
描述:IGBT 600V 75A TO247
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A
Current - Collector Pulsed (Icm):200A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,75A
功率 - 最大值:595W
Switching Energy:1.5mJ(开),1mJ(关)
输入类型:标准
Gate Charge:310nC
25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns
Test Condition:400V, 75A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):80ns
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247
专业从事代理分销安森美半导体NGTB75N60FL2WG,常备NGTB75N60FL2WG大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商