技术资料
制造商零件编号:NGTB50N60FLWG
制造商:ON Semiconductor
描述:IGBT 600V 50A TO247
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A
Current - Collector Pulsed (Icm):200A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.9V @ 15V,50A
功率 - 最大值:223W
Switching Energy:1.1mJ (开), 600?J (关)
输入类型:标准
Gate Charge:310nC
25°C 时 Td(开/关)值:116ns/292ns
Test Condition:400V, 50A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):85ns
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247
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