技术资料
制造商零件编号：NGTB50N120FL2WG
制造商：ON Semiconductor
描述：IGBT 1200V 100A 535W TO247
系列：-
IGBT 类型：沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100A
Current - Collector Pulsed (Icm)：200A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.2V @ 15V，50A
功率 - 最大值：535W
Switching Energy：4.4mJ （开）， 1.4mJ （关）
输入类型：标准
Gate Charge：311nC
25°C 时 Td（开/关）值：118ns/282ns
Test Condition：600V， 50A， 10 欧姆， 15V
反向恢复时间 (trr)：256ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247
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