制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：单路IGBT

规格：IGBT 1200V 80A 535W TO247

封装：TO-247

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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制造商零件编号：NGTB40N120FL2WG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 80A 535W TO247

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A

Current - Collector Pulsed (Icm)：200A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.4V @ 15V，40A

功率 - 最大值：535W

Switching Energy：3.4mJ （开）， 1.1mJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：313nC

25°C 时 Td（开/关）值：116ns/286ns

Test Condition：600V, 40A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：240ns

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247

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