技术资料
制造商零件编号：NGTB25N120FLWG
制造商：ON Semiconductor
描述：IGBT 1200V 25A TO247-3
系列：-
IGBT 类型：沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50A
Current - Collector Pulsed (Icm)：200A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.2V @ 15V，25A
功率 - 最大值：192W
Switching Energy：1.5mJ （开）， 950?J （关）
输入类型：标准
Gate Charge：220nC
25°C 时 Td（开/关）值：91ns/228ns
Test Condition：600V，25A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：240ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247
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