技术资料
原厂标准完整型号: NGTB20N120IHWG
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: IGBT 20A 1200V TO-247
系列: -
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 80A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.65V @ 15V,20A
功率 - 最大值: 341W
开关能量: 480μJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 150nC
25°C 时 Td(开/关)值: -/170ns
测试条件: 600V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): -
封装/外壳: TO-247-3
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
专业从事代理分销安森美半导体NGTB20N120IHWG,常备NGTB20N120IHWG大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商