技术资料
制造商零件编号:NGTB20N120IHRWG
制造商:ON Semiconductor
描述:IGBT 1200V 40A 384W TO247
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A
Current - Collector Pulsed (Icm):120A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.45V @ 15V,20A
功率 - 最大值:384W
Switching Energy:450?J (关)
输入类型:标准
Gate Charge:225nC
25°C 时 Td(开/关)值:-/235ns
Test Condition:600V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247
专业从事代理分销安森美半导体NGTB20N120IHRWG,常备NGTB20N120IHRWG大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商