技术资料
制造商零件编号:NGTB15N60S1EG
制造商:ON Semiconductor
描述:IGBT 600V 30A 117W TO220-3
系列:-
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A
Current - Collector Pulsed (Icm):120A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.7V @ 15V,15A
功率 - 最大值:117W
Switching Energy:550?J (开), 350?J (关)
输入类型:标准
Gate Charge:88nC
25°C 时 Td(开/关)值:65ns/170ns
Test Condition:400V,15A,22 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):270ns
封装/外壳:TO-220-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
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