技术资料
原厂标准完整型号: NGTB05N60R2DT4G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: IGBT 5A 600V DPAK
系列: -
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 16A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 20A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2V @ 15V，5A
功率 - 最大值: 56W
开关能量: 188μJ（开），60μJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 30nC
25°C 时 Td（开/关）值: 44ns/82ns
测试条件: 300V，5A，30 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）: 70ns
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: DPAK
专业从事代理分销安森美半导体NGTB05N60R2DT4G,常备NGTB05N60R2DT4G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商