技术资料
原厂标准完整型号: NGTB03N60R2DT4G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: IGBT 9A 600V DPAK
系列: -
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 9A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 12A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，3A
功率 - 最大值: 49W
开关能量: 50μJ（开），27μJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 17nC
25°C 时 Td（开/关）值: 27ns/59ns
测试条件: 300V，3A，30 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）: 65ns
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: DPAK
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