制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：FET - 单

规格：MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

封装：*

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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原厂标准完整型号: NDD60N900U1-1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5.7A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 900 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 360pF @ 50V

功率 - 最大值: 74W

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

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NDD60N550U1-35G

NDD60N550U1T4G

NDD60N745U1-1G

NDD60N360U1-1G

NDD60N745U1T4G

MC74VHC4316DTG

M74VHC1G125DFT1G

1PMT16AT3G

SZBZX84C5V6LT3G

NJVMJD112G