技术资料
原厂标准完整型号: NDD60N550U1-35G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8.2A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 550 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 540pF @ 50V
功率 - 最大值: 94W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装: IPAK（TO-251）
专业从事代理分销安森美半导体NDD60N550U1-35G,常备NDD60N550U1-35G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商