制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：FET - 单

规格：MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4

封装：TO-251-3

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

（您可通过电话、邮件或QQ联系销售报价）

原厂标准完整型号: NDD60N550U1-1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8.2A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 550 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 540pF @ 50V

功率 - 最大值: 94W

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装: IPAK（TO-251）

专业从事代理分销安森美半导体NDD60N550U1-1G,常备NDD60N550U1-1G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

NDD60N900U1-1G

NDD60N550U1-35G

NDD60N550U1T4G

NDD60N745U1-1G

NDD60N360U1-1G

BSS123LT1G

NLVVHC1G86DFT1G

MC74ACT74DG

MC100LVEL17DWG

NCP1589MNTWG