制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：单端场效应管

规格：MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

封装：I-Pak

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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制造商零件编号：NDD04N60Z-1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.1A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：640pF @ 25V

功率 - 最大值：83W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：I-Pak

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NDD01N60T4G

NDD03N60Z-1G

NDD03N40Z-1G

NDD03N80Z-1G

NDD03N40ZT4G

NB3N502DG

NCP303LSN32T1G

1SMB36AT3G

LA6587FA-BH

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