制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：FET - 单

规格：MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK

封装：*

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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原厂标准完整型号: NDD03N80Z-1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.9A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.5 欧姆 @ 1.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 440pF @ 25V

功率 - 最大值: 96W

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

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NDD02N40-1G

NDD02N60ZT4G

NDD03N50Z-1G

NDD05N50Z-1G

NDD04N50Z-1G

NUP5120X6T1G

CAT2300VP2-GT3

MM5Z2V7ST1

BD675A

MCH6336-TL-H