技术资料
制造商零件编号：NDD03N60Z-1G
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 600V IPAK
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：312pF @ 25V
功率 - 最大值：61W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak
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