技术资料
原厂标准完整型号: NDD03N40Z-1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2.1A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 3.4 欧姆 @ 600mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 6.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 140pF @ 50V
功率 - 最大值: 37W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装: IPAK(TO-251)
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