技术资料
制造商零件编号:NCP5181DR2G
制造商:ON Semiconductor
描述:IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
系列:-
配置:半桥
输入类型:非反相
延迟时间:100ns
电流 - 峰值:1.4A
配置数:1
输出数:2
高压侧电压 - 最大值(自举):600V
电压 - 电源:10 V ~ 20 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC N
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