技术资料
制造商零件编号:MTY100N10E
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):378nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10640pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装:TO-264
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