技术资料
制造商零件编号:MMFT2N02ELT1
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 800mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):580pF @ 15V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装:SOT-223
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